11月6日，在2024-2025第八届IC独角兽颁奖仪式上，联和存储科技（江苏）有限公司（以下简称：联和存储）凭借其核心自研的“高带宽闪存芯片技术”成功入选，斩获殊荣。联和存储作为中国存储芯片领域的破局者，正以自主创新为核心驱动力，以前瞻视野布局HBF^TM（High Bandwidth Flash^TM）技术生态，为全球AI产业铺设一条高带宽、低成本的破局路径。

三年破局：从国产替代到技术自立

联和存储的崛起之路，是中国科技企业突破“卡脖子”困境的生动写照。成立仅三年多，联和存储便以“技术自主化、产品国产化”为使命，成功实现存储芯片核心技术的突破，大幅提升国产化率。在智能终端、工业控制、消费电子、安防网通、物联网等20余个细分领域，联和存储的产品与服务已助力众多客户降低成本，提升竞争力。打造的“存储+”生态体系，更是服务超200家产业链企业，覆盖高可靠性场景，成为国产替代浪潮中的积极推动者。

HBF^TM技术：定义AI时代的存储未来

面对AI大模型与边缘计算带来的算力需求井喷，传统存储架构在带宽和成本上均面临严峻挑战。联和存储敏锐捕捉到这一趋势，联合产业链上下游，前瞻性地布局了HBF^TM技术。通过3D堆叠架构与高速互联协议的协同创新，HBF^TM技术将大幅提升存储带宽，满足AI大模型实时推理的毫秒级数据调度需求，同时将极具竞争力的成本优势，突破高带宽存储技术的规模化应用门槛。

当算力竞争进入“拼带宽、比能效”的新阶段，联和存储通过HBF^TM技术生态的提前布局，将破解AI存储的“不可能三角”（高性能、低功耗、低成本）。联和存储用三年多时间完成从“追随者”到“开拓者”的蜕变，走出了一条自主创新的差异化道路。未来，联和存储将继续以自主创新为引擎，推动HBF^TM技术的深化应用与生态拓展，为全球AI产业的繁荣发展贡献独特价值。真正的自主创新，不仅要突破技术壁垒，更要参与定义产业未来，联和存储正奋力书写着这一篇章！